作者:徐敬波,赵玉龙,蒋庄德,孙剑 单位:中国仪器仪表学会 出版:《仪器仪表学报》2007年第08期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYQXB2007080100 DOC编号:DOCYQXB2007080109 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于SOI的集成硅微传感器芯片的制作》PDF+DOC2007年第02期 徐敬波,赵玉龙,蒋庄德,张大成,杨芳,孙剑 《微型电容式压力传感器中的温度效应》PDF+DOC2006年第05期 黄哲琳,冯勇建 《一种硅微多传感器集成研究》PDF+DOC2008年第03期 赵玉龙,徐敬波,蒋庄德,孙剑 《基于MEMS重力检测的数字水平仪》PDF+DOC 张秀再,陈彭鑫,吴华娟 《全集成式流量传感器》PDF+DOC1989年第01期 黄金彪,李斌,童勤义,周明 《一种SOI高温压力传感器敏感芯片》PDF+DOC2014年第04期 王伟,梁庭,李赛男,洪应平,葛冰儿,郑庭丽,贾平岗,熊继军 《一种齐平封装的MEMS高频响压力传感器》PDF+DOC2010年第05期 李建波,赵玉龙,赵立波 《基于MEMS的温度数据采集系统的设计》PDF+DOC2008年第11期 安仲源,欧阳清 《硅基TPMS集成传感器研究》PDF+DOC2006年第05期 张兆华,刘兵武,张艳红,谭智敏,林惠旺,刘理天 《一种集成式多参数硅微传感器》PDF+DOC2006年第02期 周建发,赵玉龙,苑国英,蒋庄德
  • 针对恶劣环境和严格空间体积限制条件下的多参数测量问题,利用绝缘体上硅(SOI)材料,采用微型机械电子系统(MEMS)技术,研制了一种可以同时测量三轴加速度、绝对压力、温度参数的单片集成硅微传感器,其中加速度、绝对压力传感器基于掺杂硅压阻效应,温度传感器基于掺杂硅电阻温度效应。结合芯片中各传感器的工作原理,用有限元方法对设计的结构进行了仿真,确定集成传感器的电阻分布和结构参数。根据确定的集成传感器结构,制定了相应的制备工艺步骤。最后给出了集成传感器芯片的性能测试结果。

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