作者: 单位:北京信息科技大学 出版:《传感器世界》2016年第04期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGSJ2016040130 DOC编号:DOCCGSJ2016040139 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 近年来,一系列理论及实验结果表明:金属氧化物半导体材料的表面缺陷能够提高其对NO_2分子的吸附能力,同时也能够高效地促进电子从半导体的导带转移至NO_2分子,从而有效地提高其检测灵敏度。因此,通过对材料表面缺陷的调控实现对NO_2的超灵敏检测具有重要研究价值。目前,已被广泛研究的表面缺陷类型为单电子氧空位缺陷(VO),然而另一种坐落于Sn O2表面的缺陷—超氧复合自由基(Sn 4+-O2-)却未被引起足够的重视。与VO缺陷中心

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