《基于Nafion和纳米金及明胶修饰的电位型高灵敏IgG免疫传感器的研究》PDF+DOC
作者:朱强,柴雅琴,袁若,张凌燕,唐点平,周路
单位:中国仪器仪表学会
出版:《化学传感器》2005年第03期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFHXCH2005030090
DOC编号:DOCHXCH2005030099
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利用滴涂于铂盘表面的 Nation 膜中负电性的磺酸基与 anti-IgG 分子中的氨基阳离子之间的静电作用实现抗体的结合,同时通过负电性的纳米金增加抗体的固定量,最后在修饰电极的表面涂敷一层明胶(Gelatin)薄膜进行固定,制成 Gelatin/anti-IgG/Au/Nafion/Pt 膜,制得非标记免疫传感器.用循环伏安法(CV)和交流阻抗法(Nyquist)对电极逐层修饰过程进行了表征,并对免疫传感器的性能进行了研究.该传感器测定 IgG 的最低浓度为2.0μg/L,标准曲线的线性范围在5~960μg/L,回归方程为:ΔE=-2.2+31.7 log[IgG],响应时间为5 min.此传感器制备过程简单、稳定性好、灵敏度高、具有良好的选择性,用于生物样品分析,结果令人满意。
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