作者：贾芸芳,牛文成,张福海,刘国华,俞梅 单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版：《Journal of Semiconductors》2005年第11期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTX2005110280 DOC编号：DOCBDTX2005110289 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 建立了较完整的适用于EIS(electrolyte insulator semiconductor)型生化传感器的EI界面势理论模型，在此基础上开发了EI界面的计算机辅助分析程序，对EI界面中双电层电势分布、带电格点密度、EI界面势进行了深入的定量分析，最后将EI界面势模拟结果与ISFET(ion sensitive field effect transistor)的实测结果进行了比较，进一步验证了文中的理论模型。

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