作者：曲炳郡,任天令,刘华瑞,刘理天,李志坚,库万军 单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国材料研究学会 出版：《功能材料与器件学报》2004年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGNCQ2004030130 DOC编号：DOCGNCQ2004030139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 对巨磁电阻自旋阀磁场传感器制作中的关键技术之一：自旋阀薄膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺，进行了试验研究。自旋阀结构为：Ta(3.5nm)/Cu(0.7nm)/NiFe(4.5nm)/CoFe(1nm)/Cu(3nm)/CoFe(2nm)/Ru(0.7nm)/CoFe(2nm)/MnIr(8nm)/Ta(4nm)，刻蚀气体为氢氯碳氟化合物(HCFC：Hydro-chloro-fluoro-carbon)，气体流量为10.5sccm，RF功率为180W，时间为27min。结果表明：RIE技术可以加工出理想的巨磁电阻自旋阀薄膜图形，且加工过程对自旋阀的磁性能影响不大，这些结果对于巨磁电阻自旋阀型集成磁传感器的批量制作具有积极意义。

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