作者：冯明,夏冠群,胡少坚 单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国材料研究学会 出版：《功能材料与器件学报》2004年第04期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGNCQ2004040110 DOC编号：DOCGNCQ2004040119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 测试了MESFET工艺条件下制作的霍尔片的基本性能。对设计出的GaAs集成霍尔元件进行了不等位电势的测试，采用霍尔元件并联和自旋电流的方法对GaAs方形霍尔元件的不等位电势进行了静态和动态调制消除。实验结果表明GaAs霍尔元件的不等位电势引起的偏差可以控制在可以忽略的范围内。

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