《硅压阻式传感器的温度特性及其补偿》PDF+DOC
作者:樊尚春,彭春荣
单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
出版:《微纳电子技术》2003年第Z1期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTQ2003Z11430
DOC编号:DOCBDTQ2003Z11439
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基于硅压阻式传感器的工艺过程与后续电路设计 ,讨论了减小其温度影响的措施。文中对在相同的硅基底上 ,采用诸如扩散、离子注入、薄膜淀积以及溅射等不同加工工艺制作实现的不同的压敏电阻特性 ,特别是温度特性进行了探讨和比较。针对一种具体的硅杯结构的压阻式传感器 ,设计、选择了加工工艺 ,给出了压敏电阻的近似温度补偿公式 ,讨论了传感器补偿电路的实现方案
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