作者:阴雨晴,邓芳明,郝勇 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》2015年第08期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS2015080060 DOC编号:DOCYBJS2015080069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 采用0.18μm CMOS工艺设计并制造了一种集成压力传感器。压力传感器单元由可移动上电极、介质膜及固定下电极组成,并由牺牲的金属层获得空气间隙。集成接口电路采用反相器替代传统开关电容放大器中的运算放大器,有效降低了电源电压,极大的降低了整体功耗。后期测试结果显示,所设计的集成压力传感器线性度高,温度稳定性好,在1.0 V电源电压下获得11.5 bits有效位数,仅消耗8.9μW功率。

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