作者:熊平,周旭东,邓光华,李作金,王颖,李华高,袁礼华,蒋志伟 单位:中国电子科技集团第四十四研究所 出版:《半导体光电》2003年第03期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTG2003030020 DOC编号:DOCBDTG2003030029 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为36μm(H)×34μm(V),填充系数为40%。器件工作在80K温度下。在阵列帧频为30帧每秒及镜头为 F/1条件下,器件噪声等效温差为0.15K。用1000K黑体测得其探测率D~*为1×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W。对器件设计及性能测试结果进行了介绍。

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