作者:李斌,黎沛涛,刘百勇,郑学仁 单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版:《Journal of Semiconductors》2003年第05期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTX2003050020 DOC编号:DOCBDTX2003050029 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《薄膜SOI扩展电阻温度传感器》PDF+DOC2003年第05期 李斌,刘百勇,郑学仁,黎沛涛 《扩展电阻温度传感器的参数优化》PDF+DOC2002年第01期 李斌,刘百勇,郑学仁,黎沛涛 《可用于+300℃检测的新型硅扩展电阻温度传感器》PDF+DOC1995年第12期 刘百勇,郑学仁,杨炳良,黄仑,李斌,陈斗南 《低电阻TiO_2半导体薄膜》PDF+DOC1992年第03期 红外 《温度传感器的新品种》PDF+DOC1983年第04期 《图像传感器及其形成方法》PDF+DOC2019年第08期 《低温温度传感器的辐照效应》PDF+DOC1997年第02期 张平 《P~+πN~+器件压磁电效应的研究》PDF+DOC1996年第02期 温殿忠,邱成军,庄玉光 《硅扩展电阻式温度传感器阻温特性的研究》PDF+DOC1995年第12期 郑学仁,刘百勇,李斌,杨炳良,陈斗南 《温度传感器及控制器》PDF+DOC 金名 ,金召
  • 在薄膜 SOI衬底上制备普通电阻结构的硅温度传感器 ,并具有令人满意的特性 :即使在 0 .1m A的低偏置电流下 ,器件的最高温度工作温度仍能达到 5 5 0℃ .实验结果分析说明 ,当硅膜足够薄时 ,普通电阻结构中可表现出较强的少数载流子排斥效应 ,大大提高了本征转折温度 ,从而提高器件的最高工作温度 .同时 ,由于薄膜 SOI温度电阻的结构对器件最高工作温度的影响不大 ,因而传感器的器件结构可以根据需要来选择 。

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