《安森美半导体提升增强CCD图像传感器的近红外技术性能》PDF+DOC
作者:本刊讯
单位:中国公共安全杂志社
出版:《中国公共安全》2016年第15期
页数:1页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGGAZ2016150040
DOC编号:DOCGGAZ2016150049
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【本刊讯】近日,安森美半导体宣布推出采用提升CCD图像传感器的近红外灵敏度的技术,增强存严格要求的工业应用中的成像性能。据悉,800万像素(MP)KAI-08052图像传感器是安森美半导体CCD产品阵容中首款采用该新技术的器件,提供的近红外(NIR)波长灵敏度达公司标准的Interline TransferCCD像素设计的两倍。此增强的灵敏度对以下应用非常关键如科学和医疗成像等应用中在NIR波长中取样发光或发出荧光;或在机器视觉和智能交通系统(ITS)中,NIR照明
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