作者：葛秀涛,倪受春 单位：中国物理学会 出版：《Chinese Journal of Chemical Physics》2002年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHXWL2002020170 DOC编号：DOCHXWL2002020179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 用共沉淀法制备了Mg2 + 掺杂的In2 O3 纳米粉 ，研究了镁掺杂对In2 O3 电导和气敏性能的影响 .结果表明 ：MgO和In2 O3 间可形成有限固溶体In2 -xMgxO3 (0≤x≤ 0 .40 ) ；MgIn&#215； 电离的空穴对材料导带电子的湮灭 ，使掺镁纳米粉的电导变得很小 ；n(Mg2 + )∶n(In3 + ) =1∶2共沉淀物于 90 0℃下热处理 4h ，用所得的纳米粉制作的传感器在 32 0～ 370℃下 ，对 45 μmol/LC2 H5OH的灵敏度达 10 2 .5 ，为相同浓度干扰气体Petrol的 12倍多 。

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