作者：严一民 单位：电子科技大学 出版：《电子科技大学学报》2002年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDKDX2002040220 DOC编号：DOCDKDX2002040229 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 根据霍尔器件能构成均匀的腔体磁场，提出了一种用磁感应法测量金属丝杨氏模量的方法。通过导磁铁微移动影响腔体磁路变化确定了霍尔电压与位移函数的关系，计算出了K值。最后将其与拉伸法测量金属丝杨氏模量的两种测量方法结果值进行了比较：在霍尔器件静态输入-输出特性下，所测杨氏模量有较大改善。

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