作者：杜晓松,杨邦朝,周鸿仁,段建华 单位：中国仪器仪表学会 出版：《仪器仪表学报》2002年第S1期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYQXB2002S11410 DOC编号：DOCYQXB2002S11419 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用溅射技术 ，对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化 ，获得了电阻温度系数 TCR≤&#177； 10&#215； 10 - 6 /℃的锰铜薄膜。该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础 ，同时也可用于制作锰铜薄膜精密电阻器

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