作者：薛慧,石云波,郭浩,唐军,刘俊,丁宇凯 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2013年第06期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2013060150 DOC编号：DOCCGQJ2013060159 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用介质键合技术制备的Si基GaAs材料衬底，缺陷密度小。对待键合的器件结构电学性能影响小。对采用目前常见的介质材料制备的Si基GaAs材料的力学性能进行了仿真分析，得到用于制备MEMS衬底的最佳介质键合层是SiO2，其衬底材料应力转换率高、量程大、位移小、制备工艺简单且为亲水性，制备的Si基GaAs衬底键合强度大，机械特性好。同时，对不同厚度的介质层材料对Si基GaAs材料的力学性能影响进行了研究分析，得到介质厚度越厚，其应力转换率越高，衬底材料的力敏效应就会越好。

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