作者：鄢细根,何火军,陈新安 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2012年第02期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2012020100 DOC编号：DOCBDTQ2012020109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 推导出了直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移系数，并研究了温度漂移的主要原因。此研究工作对消除直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移有一定的帮助。首先，建立了直接栅MOSFET静电场传感器沟道中电荷随温度变化的模型。其次，根据直接栅MOSFET沟道载流子浓度和载流子迁移率都为温度的函数，将直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移定义为由沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ，并对它们与温度的关系作了推导和研究。最后，对沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ进行了模拟和比较。模拟结果表明，温度漂移系数αμ远小于温度漂移系数αQ。因此沟道载流子浓度随温度变化是直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移的主要原因。

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