作者：田雷,刘智辉,王永刚 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2012年第12期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2012120040 DOC编号：DOCBDTJ2012120049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 基于硅压阻效应原理，单片集成三轴加速度传感器通过双惯性质量块和六梁结构组成敏感结构，其中四个L型梁对称布置用来测量x和y轴加速度；中间的对称双梁测量z轴加速度。通过工艺兼容技术，在同一芯片上制作出MEMS敏感结构和CMOS信号处理电路。利用ANSYS软件对所设计的结构进行了应力模拟分析，并对产品的加工工艺进行了描述。通过对研制出的单片集成三轴加速度传感器进行性能测试，验证了模拟分析的合理性，最终产品满足设计要求。所研制的产品具有体积小、可靠性高、易于批量生产等优点，可广泛应用于导航系统、汽车工业以及消费电子产品等领域。

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