作者： 单位：中国半导体行业协会 出版：《中国集成电路》2012年第10期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJCDI2012100320 DOC编号：DOCJCDI2012100329 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 联华电子日前宣布，与意法半导体合作开发65纳米CMOS影像传感器背面照度BSI技术。双方先前已在联华电子新加坡Fab 12i厂顺利研发出意法半导体的前面照度式FSI制程，在之前成功经验的基础上，此次合作将更进一步扩展两家公司的伙伴关系。此次1.1um像素间距的BSI制程将在联华电子新加坡Fab 12i厂进行研发，并将以开放式平台模式供客户采用，以协助客户迎接高分辨率与高画质(千万像素以上)尖端智能手机时代的到来。

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