作者：王广宁,郎颖,姜威,陈婷婷,张伟光 单位：哈尔滨师范大学 出版：《哈尔滨师范大学自然科学学报》2012年第05期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHEBY2012050160 DOC编号：DOCHEBY2012050169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 通过化学气相沉积方法(CVD)制备了ZnO纳米线，并且利用微栅电极法制备了单根ZnO纳米线真空传感器.ZnO纳米线的电阻率随真空度的提高而降低，在p=10 Pa时，室温情况下的电阻约为高温情况下(T=325℃)的1000倍.而在p=1&#215；105Pa时，室温情况的电阻是高温情况下的10倍.这种巨大变化主要是由于真空度迅速的升高，吸附在纳米线的表面的氧负离子进行了脱附的作用之后，使得耗尽层厚度降低，纳米线内部可参与导电的电子数增多，此时温度对纳米线的影响作用才会很大，导致纳米线电阻率迅速降低。

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