作者:姜林言,朱革,吴武峰,高宇,许现波 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》2016年第03期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ2016030240 DOC编号:DOCCGQJ2016030249 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 基于三相异步电机绕组方式的磁场式时栅位移传感器,通过旋转磁场得到行波信号强度较弱,并容易受到周围磁场的干扰。为了进一步提高时栅位移传感器行波信号的强度,提出一种基于交变光强的时栅位移传感器行波形成方法,并搭建了实验平台。实验表明:该设计方案产生出正确的行波信号,并且所得到的行波信号强度优于磁场式时栅位移传感器产生的行波信号强度。

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