作者：卜雄洙,赵文,于葛亮,李云龙 单位：南京理工大学 出版：《南京理工大学学报》2011年第06期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFNJLG2011060150 DOC编号：DOCNJLG2011060159 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为提高基于巨磁阻抗(GMI)效应的弱磁传感器的性能，该文研究了Fe基非晶带在纵向激励下的GMI特性。建立和分析了传感器反馈模型，设计了反馈式GMI弱磁传感器。由CMOS集成反相器组成脉冲激励电路，由峰值检波电路、低通滤波电路、差分放大电路及电压跟随器组成信号调理电路，由仪用放大器、低通滤波电路、电阻和电感组成负反馈电路。利用亥姆霍兹线圈和标准恒流电源组成标定系统，对该传感器进行了加反馈和不加反馈两种情况下的对比测试。实验结果表明：在外加磁场强度为-2.5～2.5 Oe范围内，该反馈式GMI弱磁传感器较无反馈的GMI弱磁传感器的线性度指标提高了41%；传感器输出的漂移在不加反馈时为10～20 mV/h，加入负反馈后在无外加磁场时为2 mV/h，在外加磁场强度为2.5 Oe时为3 mV/h；传感器的截止频率在未加反馈时约为2 kHz，加入负反馈后提高到了4 kHz以上。

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