作者：金靖,侯云霞,刘纪勋 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2015年第04期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2015040080 DOC编号：DOCCGQJ2015040089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 辐射后光纤的损耗值显著增加，这种现象被称为光纤辐射致衰减(RIA)效应。基于RIA效应的温度特性，搭建了一种新型的光纤温度传感器。为选择合适的传感器工作波长，基于位形坐标模型理论对锗磷(Ge/P)共掺杂光纤在825~1500 nm范围内的RIA谱特性进行了研究，发现短波段光纤RIA对温度的依赖性明显优于长波段。选用了常见的850 nm普通单模光纤作为敏感光纤，搭建光纤温度传感器，最后对所搭建温度传感器的性能指标做出了评估。

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