作者:杨鹏飞,彭春荣,张海岩,刘世国,夏善红 单位:中国科学院电子学研究所;国家自然科学基金委员会信息科学部 出版:《电子与信息学报》2011年第11期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZYX2011110390 DOC编号:DOCDZYX2011110399 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 该文研制了一种新型的基于SOI(Silicon-On-Insulator)微机械加工技术的高性能电场传感器敏感结构。为提高传感器的灵敏度和信噪比,该器件采用侧面屏蔽感应电极的独特设计方案,降低了传感器屏蔽电极的边缘效应;并基于有限元仿真,进一步优化了传感器敏感结构参数。在室温和室内大气压条件下,测试表明,测试量程0~50kV/m,传感器总不确定度优于2%,分辨率为50 V/m。

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