作者：李烨,石鑫 单位：中国机械工业集团公司;沈阳真空技术研究所 出版：《真空》2011年第06期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZKZK2011060280 DOC编号：DOCZKZK2011060289 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文对MEMS硅压阻式压力传感器进行了相应理论的分析，并对其优缺点进行了论述。通过对微压力传感器芯片的探索，提出了一种新型结构：四岛平膜结构。运用仿真软件对四岛平膜型微压力传感器芯片进行了静力学分析。通过分析应力和形变平面云图及沿特定的路径分布图，发现该结构在边缘四边中点位置处出现应力的极大值，同时在芯片的四个凸起中间部位应力出现了明显的应力集中效应。将电阻放置在应力集中的区域，使其构成一个惠斯通全桥，可获得最大的电压输出。形变极大值远远小于传感器有效膜片的厚度，本文设计的传感器芯片的线性度良好。

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