作者: 单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会 出版:《电子元件与材料》2011年第10期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZAL2011100200 DOC编号:DOCDZAL2011100209 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 1988年,法国巴黎大学Fert研究小组在纳米结构的磁性多层膜中,发现膜电阻随外加磁场发生巨大变化的现象,较传统的磁各向异性磁电阻(AMR)大一个数量级以上,称之为巨磁电阻(GMR)效应。其物理机制与传导电子自旋散射相关。

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