《巨磁电阻(GMR)传感器芯片技术背景简介》PDF+DOC
作者:
单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会
出版:《电子元件与材料》2011年第10期
页数:1页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDZAL2011100200
DOC编号:DOCDZAL2011100209
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1988年,法国巴黎大学Fert研究小组在纳米结构的磁性多层膜中,发现膜电阻随外加磁场发生巨大变化的现象,较传统的磁各向异性磁电阻(AMR)大一个数量级以上,称之为巨磁电阻(GMR)效应。其物理机制与传导电子自旋散射相关。
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