作者:曹新亮,余宁梅,杨喆 单位:南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所) 出版:《固体电子学研究与进展》2011年第05期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGTDZ2011050130 DOC编号:DOCGTDZ2011050139 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 为了提高CMOS环形振荡器的稳定度,以温度传感器作为检测电路,利用单稳态电路整形、滤波,把频率变化转变为电压变化对压控振荡器(VCO)进行负反馈调节,在温度变化和电源微小波动时,抑制了频率漂移。测试结果表明:CMOS环形振荡器输出频率为3.55 GHz,在温度区间-20~80°C内最差稳定度为2.45%,优于2.5%,达到射频识别系统中对频率稳定度的要求。

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