作者：徐渊,陆河辉,刘诗琪 单位：四川固体电路研究所 出版：《微电子学》2016年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFMINI2016040100 DOC编号：DOCMINI2016040109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《一个提高CMOS图像传感器的动态范围的算法》PDF+DOC2006年第02期 姜秀彬,毛毳,何乐年 《用于数字图像传感器的脉冲宽度调制读出方法研究》PDF+DOC2015年第08期 刘慧颖,李斌桥,高志远,姚素英 《CMOS图像传感器的研究进展》PDF+DOC2009年第04期 李继军,杜云刚,张丽华,刘全龙,陈建芮 《CMOS图像传感器的商业化发展》PDF+DOC2004年第02期 王高,周汉昌 《CMOS图像传感器与CCD的比较及发展现状》PDF+DOC2001年第S1期 宋勇,郝群,王涌天,王占和 《大动态范围CMOS图像传感器像素单元的设计》PDF+DOC2008年第06期 高静,姚素英,徐江涛,孙烨辉,史再峰,曲鹏 《CIS实时多帧组合方法研究与设计》PDF+DOC2007年第09期 胡燕翔,姚素英,徐江涛 《一种提升互补型金属氧化物图像传感器动态范围的方法》PDF+DOC2014年第30期 于帅,孙德新 《CMOS图像传感器的硬复位电路研究》PDF+DOC2014年第01期 晋孝峰,岳素格,刘丽艳,陈淼,赵岳,王春芳 《CMOS图像传感器4T像素本底噪声分析》PDF+DOC2014年第03期 李栋,刘文平,张冰,李炘,何杰

    • 提出了一种梯度自适应的宽动态CMOS图像传感器像素结构。该像素结构采用多路分流设计，改变了3T-APS图像传感器的单线性响应率；根据不同的光照强度自适应调整响应率，在低照度时具有较大的响应率，在高照度时具有较小的响应率，从而增大了像素的动态范围。该像素结构简单，无需额外复杂的控制电路即可实现对光照强度的自适应梯度响应。基于0.18μm1P4MSMIC工艺，采用SILVACO TCAD仿真软件进行电路设计和仿真。结果表明，该CMOS图像传感器像素结构电路的动态范围可达到112.36dB。

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