作者: 单位:中国仪器仪表学会仪表材料分会;重庆仪表材料研究所 出版:《功能材料信息》2011年第04期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGNCX2011041020 DOC编号:DOCGNCX2011041029 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 聚吡咯作为目前研究最广泛的一种导电高分子材料,在各种器件上(如电池、电容器、生物传感器和DNA芯片等)具有广阔应用前景。近年来,科研工作者开拓了一系列新型合成方法,以制备具有不同纳、微米结构的聚吡咯。然而,由于吡咯自身具有α、β双聚合位点的结构特征,在合成时极易形成交联的高维聚合物结构。合成低维有序结构

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