作者：Scott 单位：电子工业出版社;美国国际数据集团 出版：《今日电子》2011年第11期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZJR2011110040 DOC编号：DOCDZJR2011110049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 聚吡咯作为目前研究最广泛的一种导电高分子材料，在各种器件上(如电池、电容器、生物传感器和DNA芯片等)具有广阔应用前景。近年来，科研工作者开拓了一系列新型合成方法，以制备具有不同纳、微米结构的聚吡咯。然而，由于吡咯自身具有α、β双聚合位点的结构特

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