作者:马骁,杜占坤,刘珂,毕见鹏,庞晓敏,邵莉 单位:中国电子科技集团公司第十三研究所 出版:《半导体技术》2015年第08期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTJ2015080010 DOC编号:DOCBDTJ2015080019 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 设计了符合工业无线传感器网络WIA-PA标准的发射机电路。采用中频转换电路控制模拟中频信号的偏置及幅度以满足混频器的输入范围。采用正交双平衡混频器结构进行上变频,通过在固定电容上串联可调电容,拓宽了混频器的选频范围。后级接可编程功率预放大器,产生差分的功率输出信号,以满足不同传输距离的要求。发射机电路在0.13μmCMOS工艺下进行流片。通过与WIA-PA基带芯片联合调试,测试结果表明,设计的直接上变频发射机芯片的误差矢量幅度(EVM)小于13.5%,镜像抑制达到34dBc,很好地满足了无线传感器网络节点的应用需求。

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