作者：孙秀兰,汪忠云,方银军,陈佩佩,李在均 单位：中国化学会;中国科学院长春应用化学研究所 出版：《》 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFFXHX2010020290 DOC编号：DOCFXHX2010020299 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 利用溶胶凝胶法，将正硅酸乙酯在HCl存在下水解形成的硅溶胶和黄曲霉毒素B1抗体的混合液涂于玻碳电极表面，制备非标记型电化学阻抗免疫传感器。以[Fe(CN)6]3-/4-的磷酸盐缓冲溶液为测试底液，分别研究传感器的循环伏安和交流阻抗行为。实验表明，电极因免疫反应所形成的复合物阻碍了[Fe(CN)6]3-/4-在电极表面的扩散，其氧化还原峰电流明显减小，电子转移阻抗随黄曲霉毒素浓度增加而线性增大。当介质pH=6.5和孵育时间为20 min时，免疫前后传感器的电子转移阻抗变化值最大。在此最佳条件下，传感器电子转移阻抗对黄曲霉毒素响应的线性范围为1.0～10μg/L；检出限为0.1μg/L(S/N=3)。此方法具有高的灵敏度和稳定性，可应用于食品中黄曲霉毒素的测定。

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