作者:耿振亚,宋国庆,张冬梅 单位:北京信息科技大学 出版:《传感器世界》2010年第01期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGSJ2010010090 DOC编号:DOCCGSJ2010010099 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计》PDF+DOC2015年第09期 李丹丹,梁庭,李赛男,姚宗,熊继军 《SOI宽温区微型智能压力传感器的设计与实现》PDF+DOC2016年第12期 高峰,赵建立,李静文 《一种MEMS高温压力传感器》PDF+DOC2016年第06期 王伟忠,何洪涛,卞玉民,杨拥军 《基于非晶碳膜压阻效应的MEMS压力传感器研究》PDF+DOC2020年第06期 马鑫,张琪,郭鹏,同笑珊,赵玉龙,汪爱英 《SOI传感器的现状和发展趋势》PDF+DOC2003年第05期 海涛,刘光辉,周真,卢为 《基于SOI的E型结构MEMS高温压力传感器的设计》PDF+DOC2018年第05期 李鑫,梁庭,赵丹,姚宗,雷程,李旺旺 《利用硅横向压阻效应的压力敏感器件》PDF+DOC1985年第03期 鲍敏杭 ,王言 《一种压阻微差压传感器的设计与无应力制造》PDF+DOC2009年第04期 尤彩红,张文栋,王文襄 《基于AIN绝缘的多晶硅高温压力传感器设计》PDF+DOC2008年第01期 王云彩,孙以材,陈杰,耿青涛 《一种MEMS压力传感器的标定和温度补偿方法》PDF+DOC 沈晓春,刘利,周飞
  • 应用压组效应原理制作硅氧化物绝缘体(SOI)压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,本文说明了SOI在微电子机械系统(MEMS)技术上的实现优势,并对压力传感器SOI结构的实现工艺进行了探索性试验,完成了SOI压力传感器的设计和封装,在强调了压力传感器的测试方法的同时,对所设计的样品进行了测试。

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