作者：李蕾,毛陆虹,黄晓综,谢生,张世林 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2010年第05期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2010050340 DOC编号：DOCCGQJ2010050349 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 针对射频识别(RFID)标签应用，采用SMIC.18 RF CMOS工艺设计了一种温度传感器。利用MOS管迁移率和阈值电压与温度的关系设计了延迟时间与温度相关的延迟单元，进而产生与温度相关的脉冲信号，并通过后续电路对脉冲采样计数，将温度信息转换成数字信号供RFID标签数字模块使用。仿真测试结果表明：当温度为-20～80℃时，温度传感器精度为1℃。标签模拟电路的总功耗电流为6μA。

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