作者:谷顺虎,王艳,程顺昌,陈于伟 单位:中国电子科技集团第四十四研究所 出版:《半导体光电》2015年第01期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTG2015010200 DOC编号:DOCBDTG2015010209 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 针对某型CCD图像传感器划片过程中产生的静电损伤、崩边等缺陷造成器件失效,通过优化划片工艺条件,避免了静电损伤,减少了崩边缺陷,封装的成品率由48%提高至96%。

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