作者:权修桥 单位:中国电子学会 出版:《微波学报》2010年第S2期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFWBXB2010S20390 DOC编号:DOCWBXB2010S20399 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 按照RTCA/DO-160E标准中磁影响试验要求,很难准确测量标准中要求的偏转角;由于是受测设备产生的磁场造成了自由磁体的偏转,文中根据RTCA/DO-160E标准中磁影响测试方法,提出偏转角与磁场强度的转换关系,计算出极限值;另外在测试时,受测设备的电缆的摆放方式不做要求,测量受测设备及其电缆产生的磁场强度,使得测试结果更接近于实际工程应用。

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