作者:汪波,李豫东,郭旗,刘昌举,文林,孙静,玛丽娅 单位:中国物理学会发光分会;中科院长春光机所 出版:《发光学报》2015年第02期 页数:7页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFFGXB2015020230 DOC编号:DOCFGXB2015020239 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应》PDF+DOC2015年第09期 汪波,李豫东,郭旗,文林,孙静,王帆,张兴尧,玛丽娅 《CMOS图像传感器的发展现状及其应用前景》PDF+DOC 刘杨 《CMOS图像传感器的发展现状》PDF+DOC2000年第01期 王高,喻俊志,马俊婷,李建荣 《基于标准CMOS工艺的有源像素单元结构的研究》PDF+DOC2005年第04期 周鑫,朱大中,郭维 《T.LJS有源车轮传感器》PDF+DOC1999年第03期 张福信 《有源电桥电路的分析与讨论》PDF+DOC1992年第09期 张荣祥,冯晓光,孔祥发,王宇杰 《CMOS图像传感器技术的进展与应用》PDF+DOC2004年第12期 顾晓,高伟,宋宗玺,郑瑞云 《光学传感、传感器》PDF+DOC2003年第06期 《一种新型CMOS图像传感器的设计》PDF+DOC 孙鲁,赵慧元,苏秉华 《CMOS有源集成像素传感器检测高能物理粒子》PDF+DOC2009年第01期 李琰,Yavuz Degerli,姜来,纪震
  • 采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输出信号逐渐减小且与像素单元饱和输出信号变化基本一致;暗信号随总剂量的增大而显著增大。研究结果表明,0.5μm工艺CMOS APS电离总剂量辐射效应引起参数退化的主要原因是光敏二极管周围的整个LOCOS(Local oxidation of silicon)隔离氧化层产生了大量的辐射感生电荷。

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