作者：王炎英,牙禹,谭小红,黄克靖,李春涯 单位：信阳师范学院 出版：《信阳师范学院学报(自然科学版)》2010年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFXYSK2010040240 DOC编号：DOCXYSK2010040249 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 以苯基三乙氧基硅烷(PTEOS)为功能单体，四乙氧基硅烷为硅源，甲基对硫磷为模板化合物，通过电化学法调节电极表面微区呈强碱性，促进硅氧烷水解，制备了甲基对硫磷分子印迹膜修饰玻碳电极，研究了甲基对硫磷在该修饰电极上的电化学行为.结果表明，该修饰电极能快速、高选择性识别甲基对硫磷，与非印迹电极相比，甲基对硫磷峰电流显著增大，峰形更好.在最佳条件下，氧化峰电流与甲基对硫磷浓度在1.0&#215；10-8～1.0&#215；10-5mol.L-1范围内呈良好的线性关系，线性方程为Ip(μA)=1.2839c(μmol.L-1)+0.4386(R=0.9998)，检出限为9.2&#215；10-9mol.L-1.将此法用于苹果样品中甲基对硫磷的测定，结果令人满意。

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