作者: 单位:中国科学院上海技术物理研究所 出版:《红外》2009年第08期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFHWAI2009080120 DOC编号:DOCHWAI2009080129 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 美国专利US7544532 (2009年6月9日授权)本发明提供采用改进型钝化层的InSb红外光电二极管及传感器列阵,同时还提供了其制作方法。该方法的具体步骤如下:在n型衬底中形成光电二极管探测器区之前,用分子束外延技术在n型InSb衬底上沉积一层AlInSb钝化层;直接通过该AlInSb钝化层注入一种合适的P~+掺杂剂,以形成光电二极管探测器区;有选择地去除AlInSb钝化层,使InSb衬底的第一区暴露出来,然后在InSb衬底第一区形成栅接点;在光电二极管

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