作者：周立,贺红,章复中,章雷 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2009年第08期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2009080030 DOC编号：DOCYBJS2009080039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 采用HP4191A型阻抗分析仪和专门为测量非晶丝GMI效应而设计的专用装置，研究了测量电流频率钴-铁-硅-硼(Co-Fe-Si-B)非晶丝GMI效应的影响。对于经冷拔、真空退火和张应力退火制成的非晶丝，当测量频率由1MHz、5 MHz、10 MHz、20 MHz、30 MHz、40 MHz…，改变到400 MHz时，GMI比值、[(Z-Z0)/Z0]、对外加磁场(Hex)的关系曲线都呈现正GMI效应的特征，其峰值和曲线的最大斜率先是不断增加，直到极大值，然后下降，极大值约为60~100MHz。据此，设计了测量电流频率可变的压控振荡器电路GMI磁场传感器，在75 MHz下，传感器的磁场测量灵敏度达到0.4 mV/nT。

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