《基于CoFeNbSiB非晶丝巨磁阻抗效应的新型磁传感器》PDF+DOC
作者:钱丙军,王长松,周晓敏
单位:中国科技信息研究所
出版:《电子设计应用》2009年第08期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYYDZ2009080160
DOC编号:DOCYYDZ2009080169
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本文利用CoFeNbSiB非晶丝的巨磁阻抗(GMI)效应制作了一种新型微磁场传感器。该传感器尺寸小,灵敏度高,反应速度快,且不需要预热。文章中具体介绍了非晶丝的特性、传感器的硬件及软件设计。
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