作者：李琰,Yavuz De■erli,纪震 单位：中国电子学会 出版：《电子学报》2009年第07期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZXU2009070010 DOC编号：DOCDZXU2009070019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文研究了一个采用标准0.35μm CMOS工艺制造的新型高能物理粒子轨迹追踪器.这个新型的追踪器运用CMOS有源像素传感器技术(CMOS Monolithic Active Pixel Sensors，MAPS)将信号的探测与处理电路集成在一起，在像素的内部实现了相关双次采样操作(Correlated Doubled Sampling，CDS).实验芯片包含一个128行&#215；32列的像素矩阵，其中，像素的大小为25&#215；25μm2.通过采用放射源55Fe的测定，得到像素的等效输入随机噪声(Temporal Noise)仅为12个电子而固定噪声(Fixed Pattern Noise，FPN)仅为4个电子.传感器的电荷-电压转换系数(Charge-to-Voltageconversion Factor，CVF)为60μV/e-.测试中，芯片的信号读取速度达到了12μs/帧。

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