作者：宋经纬,周祥,谌家军,马锡英 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2009年第05期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2009050100 DOC编号：DOCBDTQ2009050109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • Si纳米线是一种非常重要的一维半导体纳米材料，在纳米器件方面有很好的应用前景。综述了Si纳米线的一些重要制备方法：激光烧蚀法、模板法、化学气相生长法、热蒸发法，简要介绍了各种制备方法过程并分析各种方法制备纳米线的优缺点。还介绍了Si纳米线所制备纳米器件的电学、电子输运等特性，说明了掺硼、掺磷纳米线分别具有p型、n型半导体特征。最后介绍了Si纳米线在电子器件、纳米线电池、传感器方面的相关应用。

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