作者：赵玉龙,徐敬波,蒋庄德,孙剑 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2008年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2008030100 DOC编号：DOCCGJS2008030109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为满足小体积、多参数测量的要求，利用(100)晶面的各向异性压阻特性与MEMS加工工艺特性，在单芯片上集成制作了三轴加速度、绝对压力以及温度等硅微传感器，在结构和检测电路设计上最大限度地减小各传感器之间的相互干扰影响。三轴加速度、绝对压力传感器利用压阻效应导致的电阻变化测量外界加速度和压力变化量，温度传感器利用掺杂单晶硅电阻率随温度变化的原理来测量外界温度。集成传感器具有较好的工艺兼容性，加速度、压力传感器的压敏电阻和温度传感器的测温电阻采用硼离子掺杂制作，加速度和压力传感器设计成工艺兼容的体硅结构。研制的集成传感器芯片尺寸为4mm&#215；6mm&#215；0.9mm。给出了集成传感器的性能测试结果。

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