作者:孙立宁,王家畴,荣伟彬,李欣昕 单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版:《Journal of Semiconductors》2008年第08期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTX2008080350 DOC编号:DOCBDTX2008080359 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 为了提高面内运动位移检测的灵敏度和改善侧壁压阻工艺与其他工艺间的兼容性问题,研究了一种可用于面内运动位移检测的传感器,提出了利用离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作检测梁侧壁压阻的方法.侧壁压阻式位移传感器的灵敏度比在检测梁表面制作压阻的传统位移传感器高近一倍.同时把位移传感器集成到基于体硅工艺的纳米级定位平台上,实验测试表明,这种位移传感器加工技术可以很容易地与其他工艺相兼容,位移传感器的灵敏度优于0.903mV/μm,线形度优于0.814%,分辨率优于12.3nm。

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