作者:赵晓锋,温殿忠 单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版:《Journal of Semiconductors》2008年第10期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTX2008100370 DOC编号:DOCBDTX2008100379 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《纳米多晶硅薄膜电阻压力和加速度多功能传感器(英文)》PDF+DOC2016年第06期 慕艾霖,赵晓锋,李宝增,温殿忠,吴亚林 《一种多晶硅高温压力传感器》PDF+DOC1998年第06期 张荣,曲宏伟,王涌萍,阎富兰,崔金标,田莉萍,张维新 《多晶硅压力传感器》PDF+DOC1996年第03期 张维新,毛赣如,姚素英,曲宏伟 《多晶硅敏感技术(连载五)》PDF+DOC1994年第05期 王善慈 《带有补偿电路的互换性硅压力传感器》PDF+DOC1990年第03期 P.Kopystynski,E.Obermeier,林正强 《扩散硅压力传感器性能优化研究》PDF+DOC1992年第03期 吴宪平,胡美凤 《硅压力传感器的应力隔离封装》PDF+DOC1987年第Z1期 李东研,Per.A.Ohlckers,C.D.Fung,W.H.Ko 《单块集成压阻式压力传感器》PDF+DOC1985年第05期 吴宪平,鲍敏杭 《压力传感器》PDF+DOC1979年第06期 焦庆斌 《一种超薄硅薄膜的制作方法》PDF+DOC2002年第04期 李忻,车录锋,王跃林
  • 给出一种纳米多晶硅薄膜压力传感器,采用LPCVD法在衬底温度620℃时制备纳米多晶硅薄膜,基于MEMS技术在方形硅膜不同位置制作由4个薄膜厚度为63.0nm的掺硼纳米多晶硅薄膜电阻构成惠斯通电桥结构,实现对外加压力的检测.实验结果表明,当硅膜厚度75μm时,纳米多晶硅薄膜压力传感器在恒压源5.0V供电时,满量程(160kPa)输出为24.235mV,灵敏度为0.151mV/kPa,精度为0.59%F.S,零点温度系数和灵敏度温度系数分别为-0.124%/℃和-0.108%/℃。

    提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。