作者:隋鸿鹏,张威 单位:中国微米纳米技术学会;天津大学 出版:《Nanotechnology and Precision Engineering》2008年第03期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFNMJM2008030110 DOC编号:DOCNMJM2008030119 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 为了研究不同衬底条件对MEMS压阻传感器性能的影响,采用3种掺杂条件的衬底进行实验测试.在各步骤热过程后,对3种衬底条件下压阻区、引出区和保护框的方块电阻进行了测量和分析.通过对各部分方块电阻的测量可以看出,对于压阻区(P-区),A#和B#的方块电阻在开始注入扩散时相差很小,而由于注入杂质在高温下进一步扩散,衬底掺杂浓度对扩散后杂质分布的影响加大,方块电阻在后续的热过程中差别增大.通过比较不同衬底条件下各个热过程后的压阻数据,发现在3种掺杂条件中,20~40,Ω·cm的衬底最符合预期压阻的设计.此结论已用于指导实际产品生产。

    提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。