作者：隋鸿鹏,张威 单位：中国微米纳米技术学会;天津大学 出版：《Nanotechnology and Precision Engineering》2008年第03期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFNMJM2008030110 DOC编号：DOCNMJM2008030119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 为了研究不同衬底条件对MEMS压阻传感器性能的影响，采用3种掺杂条件的衬底进行实验测试.在各步骤热过程后，对3种衬底条件下压阻区、引出区和保护框的方块电阻进行了测量和分析.通过对各部分方块电阻的测量可以看出，对于压阻区(P-区)，A#和B#的方块电阻在开始注入扩散时相差很小，而由于注入杂质在高温下进一步扩散，衬底掺杂浓度对扩散后杂质分布的影响加大，方块电阻在后续的热过程中差别增大.通过比较不同衬底条件下各个热过程后的压阻数据，发现在3种掺杂条件中，20~40，Ω&#183；cm的衬底最符合预期压阻的设计.此结论已用于指导实际产品生产。

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