作者：戴春祥,孙颖,朱大中 单位：南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所) 出版：《固体电子学研究与进展》2008年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGTDZ2008040060 DOC编号：DOCGTDZ2008040069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为了降低阵列化光寻址电位传感器(LAPS Array)非敏感区域的噪声干扰，提出一种新的结构，对非敏感区域进行重掺杂，并在其表面生长厚氧化层。用同样的激光束照射，非敏感区域的光电流比敏感区域降低20dB以上。针对阵列化LAPS的特点，研究了电极位置变化、光源强度变化对测量结果的影响。给出了阵列化LAPS在不同应用中电极位置设置的建议，同时表明用LED作为阵列化LAPS的激励光源是合理的。

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