作者:徐敬波,赵玉龙,蒋庄德,张大成,杨芳,孙剑 单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版:《Journal of Semiconductors》2007年第02期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTX2007020300 DOC编号:DOCBDTX2007020309 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 为满足小体积、多参数测量的要求,采用SOI硅片,设计了一种测量三轴加速度、绝对压力、温度参数的单片集成硅微传感器,其中加速度、绝对压力传感器基于掺杂硅压阻效应,温度传感器基于掺杂硅电阻温度效应.根据集成传感器的结构,制定了相应的制备工艺步骤.针对芯片上各电阻间金属引线的可靠性问题和加速度传感器质量块吸附问题提出了有效的改进方法.最后给出了集成传感器芯片的性能测试结果。

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