作者:王阳,刘高平,郭锋,尹湘源 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》2007年第02期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ2007020050 DOC编号:DOCCGQJ2007020059 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《一次性多功能ISFET化学传感器的研制》PDF+DOC2000年第03期 刘亚强,黄西潮,李先文,黄强 《ISFET分析普鲁卡因的研究》PDF+DOC1999年第01期 李先文,黄强 《硅钨酸修饰ISFET的研究》PDF+DOC1998年第02期 李先文,黄强 《ISFET传感器不稳定性的起因及其改善技术研究》PDF+DOC1993年第04期 陈克铭,李国花,陈朗星,李夏,朱燕 《基于ISFET的生物传感器研究进展》PDF+DOC2005年第03期 曾磊,王建业,孙晓翔,杨秋冬,黄宜平 《NH_4~+敏传感器的研制及初步应用》PDF+DOC2004年第09期 蒲晓允,李招权,黄辉,邓均,张正元,李俊 《利用CMOS技术实现pH-ISFET传感器集成化的设计》PDF+DOC2004年第12期 杨振,颜永红,齐良颉 《基于ISFET的尼古丁传感器的研究》PDF+DOC2003年第03期 李先文,杨伯伦 《基于壳聚糖膜的ISFET麻黄碱传感器的研究》PDF+DOC2003年第03期 李先文,杨伯伦 《扑尔敏ISFET化学传感器的研制与应用》PDF+DOC 刘亚强,李先文,黄强
  • 随着CMOS工艺的不断发展,将离子敏场效应晶体管(ISFET)传感器与CMOS技术相结合,以达到提高集成度、降低成本、减小系统尺寸、提高系统可靠性。在对与CMOS工艺兼容的ISFET传感器结构模型分析的基础上,研究了一种测量电路,它具有有利于消除体效应的影响、减少共模噪声的影响、克服温度漂移等优点。对该测量电路进行模拟仿真,得到输出电压与pH值之间的关系图,结果表明:其结果与理论模型仿真值基本吻合。

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