作者：张艳红,刘理天,张兆华,谭智敏,林惠旺 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2007年第Z1期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2007Z10710 DOC编号：DOCBDTQ2007Z10719 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 在应力作用下，MOS晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化。基于MOS晶体管的这种力敏效应，采用晶体管和电阻构成压敏电桥，提出了一种新型的MOS晶体管式压力传感器。该器件在与目前最常用的压阻式压力传感器相比，继承了其制作工艺简单、稳定性和线性度好等优点，大幅提高了传感器灵敏度并降低了功耗，使得器件性能得到整体提高。

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